IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新一代新型电子电力半导体器件,它是将功率MOSFET和GTR集成在一个芯片上的复合器件。功率MOSFET是单极型电压驱动器件。它具有工作速度快,输入阻抗高,热稳定性好以及驱动电路简单特点,但它导通电阻较大,电流容量也较低,而GTR是双极型电流驱动器件,其阻断电压高,载流能力强,但工作速度较慢,驱动电流大、控制电路较复杂。
智研咨询(www.chyxx.com)分析师李子干指出,进入21世纪以来,作为强电-弱电接口、推进现代先进制造技术关键的电力电子正方兴未艾地在世界上发展。今后十年是中国社会从小康走向初步富裕的重要时期,作为一个发展中国家,发展电力电子正是完成工业化、推广信息化的重大举措。我们将看到今后十年有关电力电子的新思想、新理论、新技术、新材料、新产品、新应用将在政产学研各界的共同努力下,不断涌现,为持续造福于人民做出应有贡献。
智研咨询发布的《2012-2016年中国半导体市场竞争格局与投资方向研究报告》中指出,目前中国IGBT 行业中高端技术已有突破,初步形成从芯片设计到芯片封装的产业链,较强的成本优势将是中国本土企业与国外公司竞争的有力手段。伴随着未来几年IGBT 市场的高速增长,国产化进程的启动将会使产业链覆盖的企业受惠。
2024-2030年中国IGBT行业发展战略规划及投资方向研究报告
《2024-2030年中国IGBT行业发展战略规划及投资方向研究报告》共十三章,包含2019-2023年中国IGBT相关产业链运行走势分析,2024-2030年中国IGBT行业发展前景预测分析,2024-2030年中国IGBT行业投资机会与风险分析等内容。
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